目前ASML对外大规模发售的光刻机叫做标准光刻机，也可称之为LOW NA EUV，意思就是其数值孔径是较低值的，所以称之为LOW，NA=0.33。
这种光刻机主要用于7nm及以下芯片的制造，至于往下能够支持到多少纳米？ASML没有说。
而按照晶圆厂的做法，intel计划在2nm时，换成新的光刻机，也就是High NA EUV光刻机。
而台积电则计划继续用LOW NA EUV光刻机，并且台积电认为，哪怕是到1.6nm时，还会继续使用LOW NA EUV光刻机，因为这样便宜，不需要更换。
毕竟一台High NA EUV光刻机，需要3.5亿欧元，而一台LOW NA EUV只需要1.5亿欧元左右，成本低很多。
那么LOW NA EUV究竟能用到什么工艺？近日，ASML摊牌了，称LOW NA EUV的数值孔径是0.33，可以打印13nm左右的线宽，最多可以制造2nm的芯片。
但是，往下还可以通过多重曝光技术来实现，但支持到2027年量产的1.4nm将会是极限，再多重曝光就不行了。
接下来，就必须更换光刻机，使用High NA EUV，这种光刻机的数值孔径达到0.55，所以也称之为高数值孔径光刻机。
NA=0.55时，可以打印8nm左右的线宽，这样可以支持到2029年1nm制程的量产，而如果再采用多重曝光，则可以支持到2033年来量产的5埃米（0.5nm）制程节点。
然后就必须现的光刻机了，再下一代EUV光刻机是 Hyper NA EUV，称之为超级，是因为其NA=0.75，比0.55还要更高了。
而采用0.75NA的Hyper NA EUV光刻机，或许可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程节点，至于再往下，ASML自己也不清楚，会不会有也搞不清楚。
有意思的是，虽然ASML规划了这种NA=0.75的EUV光刻机，但ASML也确定自己能不能生产的出来，因为ASML自己也表示，要NA=0.75，还需攻克很多难题，目前ASML还没有攻克的，可能需要10来年时间攻克，也许永远攻克不了。
可能很多人就有疑问了，一个硅原子的直径大概就在1埃米（0.1nm）左右，芯片工艺真的能够达到0.2nm么？感觉不可能啊。
事实上，大家要弄清楚一个事实，那就是当工艺进入28nm之后，所有的工艺其实是等效工艺，这个0.2nm并不是指线宽，栅极宽度，金属间距等，都与0.2nm没有关系了，XX纳米只是一种说法，并不是一个物理指标。
3nm时的晶体管的金属间距为22nm（45nm/2），而0.2nm芯片，对应的晶体管的金属间距为大约在16-12nm，0.2nm以下制程以下，金属间距才会进一步缩小到14-10nm。
EUV光刻机分辨率，只要能搞定这个间距间距就可以了，所以，实际上目前关于3nm、2nm、1nm等工艺，大家也不必太认真，只是一种营销上的说法。
但不管怎么样，从现在的情况来看，EUV光刻机机，也慢慢的走向末路了，哪怕XX纳米只是营销上的说法，也难以再前进了……
毕竟当0.2nm时，只有2个原子的大小了，到时候现有的光刻技术路线必然会终结。
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